台积电2nm制程取得突破:2024年就能量产【www.smxdc.net】

原创 电脑报  2020-09-24 22:32  阅读 10 views 次 评论 0 条

芯片制程的提升是有瓶颈的,当芯片尺寸小于5nm时就会产生量子隧穿效应,电子会自行穿越晶体管的栅极和源极通道,造成0和1的逻辑错误。因此很多业内人士都说3nm制程很可能就是硅基半导体工艺的极限,2017年张忠谋也表示台积电的2nm制程工艺需再等数年才能下结论。

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不过实际情况要乐观得多,近日有报道称台积电的2nm工艺取得重大突破。台积电在去年成立了2nm研发团队,针对FinFET因制程微缩产生电流控制漏电的物理极限问题,团队综合了成本、设备相容、技术成熟及效能表现等多项条件,一改过去3nm、5nm的鳍式场效应晶体管(FinFET),该用以环绕闸极制程为基础的多桥通道场效电晶体MBCFET架构。

同时极紫外光(EUV)微显影技术的提升,使台积电研发多年的纳米片(Nano Sheet)堆叠关键技术更为成熟,良率提升进度较预期顺利。台积电此前透露2nm研发生产将在新竹宝山,规划P1到P4四个超大型晶圆厂,占地90多公顷。

以台积电2nm目前的研发进度研判,供应链预计台积电2023年下半年可望进入风险性试产,2024年正式量产。

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